據研究機構Yole的存儲報告顯示，預計今年DRAM市場規模將增長到1180億美元，增長25%；今年NAND閃存將達到830億美元，增長24%，均雙雙創歷史新高。從長遠來看，獨立內存市場預計將繼續擴大，2021至2027年的復合年增長率為8%，并有望在2027年增長到超過2600億美元。但是，季節性因素仍然存在。
值得注意的是，NOR閃存市場在2021年強勁復蘇，收入增長43%至35億美元。據Yole稱，這是由于緊張的市場條件給價格帶來了上行壓力。需求顯著增長是由多種應用推動的，包括消費者和物聯網、汽車、電信和基礎設施。
2022年是NAND閃存發明35周年。自1987年以來，NAND設備的位密度和每位成本一直在不斷進步。為了維持這種擴展，正在深入研究新的技術解決方案，包括CBA架構，例如長江存儲的Xtacking方法。如今，所有存儲制造商都在使用混合鍵合設備進行研發。鎧俠和三星等主要供應商正在將晶圓對晶圓鍵合納入其NAND路線圖。
在DRAM業務中，Yole指出當前的共識是，即使通過光刻EUV工藝，平面縮放也不足以為整個未來十年提供所需的位密度改進。因此，主要設備供應商和領先的DRAM制造商正在考慮將單片3D DRAM（相當于3D NAND的DRAM）作為長期擴展的潛在解決方案。Yole的分析師認為，這種新穎的3D技術可以在2029-2030年的時間范圍內進入市場。
